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第一原理计算稀磁半导体(In1-xMnx)As的晶格常数,磁性和电子结构
用紧束缚近似线性Muffin-tin轨道的方法计算了稀磁半导体(In1-xMnx)As(x=1/2,1/4和1/8)的晶格常数,磁性和电子结构.给出了Mn掺杂浓度的变化对(In1-xMnx)As的晶格常数,磁性和电子结构的影响.
作 者： 闫玉丽 杨致 赵文杰 葛桂贤 雷雪玲 王清林 YAN Yu-li YANG Zhi ZHAO Wen-jie GE Gui-xian LEI Xue-ling WANG Qing-ling 作者单位： 河南大学物理与信息光电子学院,开封,475001 刊 名： 原子与分子物理学报 ISTIC PKU 英文刊名： JOURNAL OF ATOMIC AND MOLECULAR PHYSICS 年，卷(期)： 2007 24(3) 分类号： O469 关键词： 稀磁半导体 晶格常数 磁性 态密度【第一原理计算稀磁半导体(In1-xMnx)As的晶格常数,磁性和电子结构】相关文章：
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