电化学刻蚀法制备LaB6场发射微尖锥阵列

电化学刻蚀法制备LaB6场发射微尖锥阵列

采用电化学刻蚀方法,成功制备出单尖的六硼化镧、钼、钨及钨铼合金场发射冷阴极尖锥,并对这几种场发射单尖锥阴极的电子发射性能进行了测试比较.结果表明,LaB6作为场发射阴极,具有良好的发射性能和稳定性.在《111》面单晶LaB6基片上,用PECVD法沉积非晶硅作掩膜,制备出具有一定高度的LaB6微尖锥场发射阵列,结果发现,LaB6基底较为平整,尖锥阵列呈现出各向异性.该结论对LaB6材料在场发射阴极方面的进一步研究具有重要的指导意义.

作 者： 王小菊 林祖伦 祁康成 陈泽祥 汪志刚 蒋亚东 WANG Xiao-ju LIN Zu-lun QI Kang-cheng CHEN Ze-xiang WANG Zhi-gang JIANG Ya-dong   作者单位： 电子科技大学,光电信息学院,四川,成都,610054  刊 名： 发光学报  ISTIC PKU 英文刊名： CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE  年，卷(期)： 2007 28(3)  分类号： O462.2 TN873+.95  关键词： 单晶LaB6   场发射阵列   电化学刻蚀   各向异性  

【电化学刻蚀法制备LaB6场发射微尖锥阵列】相关文章：

电化学方法制备Si阵列微孔的工艺研究04-26

n型硅微尖场发射电子能谱的模拟计算04-26

ZnO纳米线阵列的定向生长、光致发光及场发射性能04-26

四针氧化锌制备及其场致发射特性04-26

水热法大面积制备TiO2纳米棒阵列薄膜04-27

金刚石/银复合材料:制备、电泳沉积及场发射性能研究04-27

磁盘阵列·什么是磁盘阵列04-26

拜科努尔发射场04-27

用脉冲电化学法在低HF浓度下制备多孔硅的研究04-27

扩展有限元裂尖场精度研究04-27