n型硅微尖场发射电子能谱的模拟计算
结合金属的场发射电子能谱,模拟计算了场渗透对n型半导体硅微尖的场发射能谱的影响,并与n型硅微尖的场发射能谱实验结果进行了比较,讨论了模拟计算误差的来源.计算结果表明电场渗透现象导致硅的场发射能谱向低能方向偏移,表面电场越高,能谱的偏移量越大,其偏移程度可超过1 eV.导致硅微尖的场发射能谱偏移的主要因素是半导体的场渗透现象.
作 者: 元光 曹崇龙 宋翠华 宋航 屿拹秀隆 三村秀典 YUAN Guang CAO Chong-long SONG Cui-hua SONG Hang Shimawaki Hitetaka Mimura Hitenori 作者单位: 元光,曹崇龙,宋翠华,YUAN Guang,CAO Chong-long,SONG Cui-hua(中国海洋大学,物理系,山东,青岛,266100)宋航,SONG Hang(中国科学院,激发态物理重点实验室,吉林,长春,130033)
屿拹秀隆,三村秀典,Shimawaki Hitetaka,Mimura Hitenori(日本静冈大学,电子工学研究所,日本滨松)
刊 名: 发光学报 ISTIC PKU 英文刊名: CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE 年,卷(期): 2008 29(3) 分类号: O462.4 TN873.95 关键词: 场发射 电子能谱 硅微尖 电场渗透