稳态、瞬态X射线辐照引起的互补性金属-氧化物-半导体器件剂量增强效应研究

稳态、瞬态X射线辐照引起的互补性金属-氧化物-半导体器件剂量增强效应研究

重点开展了稳态、瞬态X射线辐照引起的金属-氧化物-半导体(CMOS)器件剂量增强效应relative dose enhance ment effect(RDEF)研究.通过实验给出辐照敏感参数随总剂量的变化关系,旨在建立CMOS器件相同累积剂量时X射线辐照和γ射线辐照的总剂量效应损伤等效关系.在脉冲X射线源dense plasma focus(DPF)装置上,采用双层膜结构开展瞬态翻转增强效应研究,获得了瞬态翻转剂量增强因子.这些方法为器件抗X射线辐照加固技术研究提供了实验技术手段.

作 者： 郭红霞 陈雨生 张义门 周辉 龚建成 韩福斌 关颖 吴国荣   作者单位： 郭红霞(西安电子科技大学微电子学研究所,西安,710000;西北核技术研究所,西安,710024)

陈雨生,周辉,龚建成,韩福斌,关颖,吴国荣(西北核技术研究所,西安,710024)

张义门(西安电子科技大学微电子学研究所,西安,710000) 

刊 名： 物理学报  ISTIC SCI PKU 英文刊名： ACTA PHYSICA SINICA  年，卷(期)： 2001 50(12)  分类号： O4  关键词： X射线   剂量增强因子   总剂量效应   剂量率效应  

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