生长温度对等离子体增强化学气相沉积生长ZnO薄膜质量的影响

生长温度对等离子体增强化学气相沉积生长ZnO薄膜质量的影响

以Zn(C2H5)2和CO2为反应源,在低温下用等离子体增强化学气相沉积方法,在Si衬底上外延生长了高质量的ZnO薄膜.用X射线衍射谱和光致发光谱研究了衬底温度对ZnO薄膜质量的影响.X射线衍射结果表明,在生长温度为230℃时制备出了高质量(0002)择优取向的ZnO薄膜,其半高宽为0.26°.光致发光谱显示出强的紫外自由激子发射与微弱的与氧空位相关的深缺陷发光,表明获得了接近化学配比的ZnO薄膜.

作 者： 支壮志 李炳生 刘益春 吕有明 申德振 张吉英 孔祥贵 范希武   作者单位： 支壮志(东北师范大学物理系,长春,130024)

李炳生,刘益春,吕有明,申德振,张吉英,孔祥贵,范希武(中国科学院激发态物理开放实验室,中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,长春,130021) 

刊 名： 真空科学与技术学报  ISTIC EI PKU 英文刊名： VACUUM SCIENCE AND TECHNOLOGY  年，卷(期)： 2002 22(1)  分类号： O484.4 O441.6  关键词： ZnO薄膜   等离子增强化学气相沉积   二乙基锌  

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