堇青石基体化学气相沉积碳化硅薄膜及其性能表征
采用等温等压化学气相沉积技术,分别以CH3SiCl3-H2和SiCl4-CH4-H2为气源,在沉积温度1100和1000℃、压力101kPa条件下,制备了SiC薄膜.利用SEM和XRD、显微拉曼光谱、EDAX元素分析、HRTEM等测试技术对沉积薄膜的结构和组成进行了表征.结果表明,1100℃时,以CH3SiCl3-H2为气源沉积得到纯净的SiC薄膜,以β-SiC(111)面择优定向生长,由微米级的金字塔锥形结构组成,硅含量随着沉积温度降低而增加;以SiCl4-CH4-H2为气源沉积得到非晶态碳掺杂的SiC薄膜,碳含量随着沉积温度降低而增加此外,以CH3SiCl3-H2为气源沉积的SiC颗粒平均粒径均比以SiCl4-CH4-H2为气源的粒径大.前者SiC薄膜的方块电阻在kΩ级以上,且随着沉积温度的下降急剧升高;后者1100℃时制备的薄膜的方块电阻在kΩ级以上,且随着沉积温度的降低而急剧下降,1000℃时降低到Ω级.
马兵,张伟刚,MA Bing,ZHANG Wei-gang(中国科学院过程工程研究所多相复杂系统国家重点实验室,北京,100190)
刊 名： 过程工程学报 ISTIC PKU 英文刊名： THE CHINESE JOURNAL OF PROCESS ENGINEERING 年，卷(期)： 2008 8(3) 分类号： O484 关键词： 化学气相沉积 β-SiC 堇青石 表征