多晶硅纳米薄膜电学特性的实验研究

多晶硅纳米薄膜电学特性的实验研究

用低压化学气相淀积(LPCVD)法淀积了膜厚为60～250nm的多晶硅纳米薄膜,研究了膜厚和掺杂浓度对多晶硅纳米薄膜电学特性的影响.结合扫描电镜(SEM)图片,在电阻率与电阻率温度系数测试结果的基础上,分析了膜厚和掺杂浓度对薄膜电学特性的影响.结果表明:重掺杂多晶硅纳米薄膜具有良好的温度特性,电阻率温度系数可达到1×10-4～3×10-4/℃的水平.

作 者： 刘晓为 李金锋 揣荣岩 施长治 陆学斌 吴娅静 LIU Xiao-wei LI Jin-feng CHUAI Rong-yan SHI Chang-zhi LU Xue-bin WU Ya-jing   作者单位： 刘晓为,李金锋,施长治,陆学斌,吴娅静,LIU Xiao-wei,LI Jin-feng,SHI Chang-zhi,LU Xue-bin,WU Ya-jing(哈尔滨工业大学,MEMS中心,黑龙江,哈尔滨,150001)

揣荣岩,CHUAI Rong-yan(哈尔滨工业大学,MEMS中心,黑龙江,哈尔滨,150001;沈阳工业大学,信息科学与工程学院,辽宁,沈阳,110023) 

刊 名： 传感器与微系统  PKU 英文刊名： TRANSDUCER AND MICROSYSTEM TECHNOLOGIES  年，卷(期)： 2008 27(8)  分类号： O738  关键词： 多晶硅纳米薄膜   电学特性   掺杂浓度   膜厚