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基于第一类Whitney单元的FETD中质量矩阵集中公式的一种推导
给出基于第一类Whitney基函数的时域有限元方法中质量矩阵对角化公式的一种推导方法.在单元内部电场为常量场的假设下,使用局部仿射坐标架,确定出每个单元上自由度所服从的约束关系,由此导出对角化质量矩阵的公式.分别考虑了二维和三维两种情况.
作 者： 邱兆杰 侯新宇 李欣 许家栋 QIU Zhao-jie HOU Xin-yu LI Xin XU Jia-dong 作者单位： 西北工业大学电子信息学院,西安,710072 刊 名： 微波学报 ISTIC PKU 英文刊名： JOURNAL OF MICROWAVES 年，卷(期)： 2007 23(5) 分类号： O1 关键词： 有限元 时域 质量矩阵集中【基于第一类Whitney单元的FETD中质量矩阵集中公式的一种推导】相关文章：
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