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Si/SiO2和SiNx/SiO2多层膜的室温光致发光

时间:2021-12-10 18:20:50 数理化学论文 我要投稿

Si/SiO2和SiNx/SiO2多层膜的室温光致发光

采用射频磁控溅射法,制备了纳米Si/SiO2和SiNx/SiO2多层膜,得到强的可见光致发光,利用傅里叶红外吸收(FTIR)谱和光致发光(PL)谱,对其发光特性进行了研究,在374 nm和712 nm左右观察到强发光峰.用量子限制-发光中心(QCLC)模型解释了其可能的发光机制,认为发光可能源自于SiOx界面处的缺陷发光中心.建立了发光的能隙态(EGS)模型,认为440 nm和485 nm的发光源于N-Si-O和Si-O-Si缺陷态能级.

作 者: 陈青云 徐明 段满益 陈卫东 丁迎春 纪红萱 沈益斌 CHEN Qing-yun XU Ming DUAN Man-yi CHEN Wei-dong DING Ying-chun JI Hong-xuan SHEN Yi-bin   作者单位: 陈青云,段满益,陈卫东,丁迎春,纪红萱,沈益斌,CHEN Qing-yun,DUAN Man-yi,CHEN Wei-dong,DING Ying-chun,JI Hong-xuan,SHEN Yi-bin(四川师范大学,物理与电子工程学院与固体物理研究所,四川,成都,610068)

徐明,XU Ming(四川师范大学,物理与电子工程学院与固体物理研究所,四川,成都,610068;重庆邮电大学,光电工程学院,重庆,400065) 

刊 名: 半导体光电  ISTIC PKU 英文刊名: SEMICONDUCTOR OPTOELECTRONICS  年,卷(期): 2007 28(5)  分类号: O657.3  关键词: Si/SiO2多层膜   SiNx/SiO2多层膜   红外吸收   光致发光