双曲正割平方势与量子阱的电子跃迁
引入了双曲正割平方势来描述超晶格量子阱中的电子运动, 利用这个相互作用势把电子的Schr?dinger方程化为了超几何方程, 并以Ga1-xAlxAs/GaAs/Ga1-xAlxAs量子阱为例计算了电子的带间跃迁.结果表明,阱内的能级数目和跃迁能量与系统参数有关.于是,可望通过对势阱参数的控制来得到不同光电特性的量子阱材料.
作 者： 胡西多 罗诗裕 邵明珠 HU Xi-duo LUO Shi-yu SHAO Ming-zhu 作者单位： 东莞理工学院,电子工程系,广东,东莞,523106 刊 名： 半导体光电 ISTIC PKU 英文刊名： SEMICONDUCTOR OPTOELECTRONICS 年，卷(期)： 2007 28(5) 分类号： O471.5 关键词： 超晶格 量子阱 超几何方程 单粒子能级