磁场对氮化物抛物量子阱中束缚极化子的影响
采用改进的Lee-Low-Pines中间耦合方法研究了在外磁场作用下纤锌矿氮化物抛物量子阱中极化子能级,给出不同磁场下极化子基态能量、结合能随阱宽L的变化关系以及能量随磁场强度B变化的函数关系.在计算抛物量子阱材料中考虑了纤锌矿GaN和Al0.3Ga0.7N构成的抛物量子阱中材料中准LO和准TO声子模的各向异性以及外磁场对极化子能量的影响.结果表明:纤锌矿氮化物抛物量子阱材料中电子-声子相互作用和外磁场对极化子能级有明显的影响.极化子基态能量,结合能随阱宽的增加而减小,随磁场的增加而增大,电子-声子相互作用使极化子能量降低,并且GaN/Al0.3Ga07N抛物量子阱对极化子的束缚程度比GaAs/Al0.3Ga0.7As抛物量子阱强,因此.在GaN/Al0.3Ga0.7N抛物量子阱中束缚于杂质中心处的电子比在GaAs/Al0.3Ga0.7As抛物量子阱中束缚于杂质中心处的电子稳定.
作 者： 萨茹拉 赵凤歧 Sarula ZHAO Fengqi 作者单位： 内蒙古师范大学物理与电子信息学院,呼和浩特,010022 刊 名： 固体电子学研究与进展 ISTIC PKU 英文刊名： RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS 年，卷(期)： 2008 28(3) 分类号： O471.1 关键词： 氯化物抛物量子阱 外磁场 电子-声子相互作用 极化子