以多孔氧化铝为模板钴纳米线阵列的制备
以多孔氧化铝为模板,采用交流电沉积的方法制备了钴纳米线阵列膜.采用扫描电子显微镜(SEM)对电沉积钴纳米线前后的多孔氧化铝模板的形貌进行表征,通过透射电子显微镜(TElM)观察钴纳米线的表面形貌.结果表明:金属钴沉积到多孑L氧化铝模板的纳米孑L中,钴纳米线的平均直径约为50n/n,与氧化铝模板的孔径相一致.
作 者： 梁淑敏 LIANG Shu-min 作者单位： 黑龙江省公安警官职业学院,公安科技系,黑龙江,哈尔滨,150025 刊 名： 化学工程师 ISTIC 英文刊名： CHEMICAL ENGINEER 年，卷(期)： 2008 22(9) 分类号： O646 关键词： 钴纳米线阵列 多孔氧化铝模板 交流电沉积 纳米材料