以多孔氧化铝为钴纳米线阵列的制备

以多孔氧化铝为模板钴纳米线阵列的制备

以多孔氧化铝为模板,采用交流电沉积的方法制备了钴纳米线阵列膜.采用扫描电子显微镜(SEM)对电沉积钴纳米线前后的多孔氧化铝模板的形貌进行表征,通过透射电子显微镜(TElM)观察钴纳米线的表面形貌.结果表明:金属钴沉积到多孑L氧化铝模板的纳米孑L中,钴纳米线的平均直径约为50n/n,与氧化铝模板的孔径相一致.

作 者： 梁淑敏 LIANG Shu-min   作者单位： 黑龙江省公安警官职业学院,公安科技系,黑龙江,哈尔滨,150025  刊 名： 化学工程师  ISTIC 英文刊名： CHEMICAL ENGINEER  年，卷(期)： 2008 22(9)  分类号： O646  关键词： 钴纳米线阵列   多孔氧化铝模板   交流电沉积   纳米材料  

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