γ-Si3N4在高压下的光学性质研究

γ-Si3N4在高压下的光学性质研究

采用基于密度泛函平面波赝势方法(PWP)和广义梯度近似(GGA-PW91),详细计算了不同压力下γ-Si3N4的光学性质(反射系数、吸收系数、复介电常数、折射系数).分析了压力对光学性质的影响,发现在高压条件γ-Si3N4的一些光学性质并不发生太大的变化,表明γ-Si3N4在高压条件下的光学应用是可行的.

作 者： 丁迎春 徐明 沈益斌 陈青云 段满益 DING Ying-chun XU Ming SHEN Yi-bing CHEN Qing-yun DUAN Man-yi   作者单位： 四川师范大学,物理与电子工程学院&固体物理研究所,四川,成都,610066  刊 名： 四川师范大学学报（自然科学版）  ISTIC PKU 英文刊名： JOURNAL OF SICHUAN NORMAL UNIVERSITY(NATURAL SCIENCE)  年，卷(期)： 2007 30(6)  分类号： O734  关键词： γ-Si3N4   光学性质   高压   第一性原理  

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