单片微控制器系统的静电放电敏感性研究

单片微控制器系统的静电放电敏感性研究

分别以2种常用的微控制器芯片80C196和AT89C51为核心设计的2种单片微控制器系统做为目标测试板,利用静电放电电磁脉冲分别对这2种系统进行静电放电效应实验研究,并对其失效机理进行分析.实验结果表明, 80C196单片微控制器系统对静电放电比89C51单片微控制器系统敏感,单片机系统在静电放电电磁脉冲作用下出现死机、跳转、重启动、RAM内容改写等功能失效现象.

作 者： 宋学君 张希军 刘尚合 SONG Xue-jun ZHANG Xi-jun LIU Shang-he   作者单位： 宋学君,SONG Xue-jun(军械工程学院,静电与电磁防护研究所,河北,石家庄,050003;河北师范大学,物理科学与信息工程学院,河北,石家庄,050016)

张希军,刘尚合,ZHANG Xi-jun,LIU Shang-he(军械工程学院,静电与电磁防护研究所,河北,石家庄,050003) 

刊 名： 河北大学学报（自然科学版）  ISTIC PKU 英文刊名： JOURNAL OF HEBEI UNIVERSITY(NATURAL SCIENCE EDITION)  年，卷(期)： 2007 27(6)  分类号： O441  关键词： 单片机系统   静电放电   电磁脉冲敏感性