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硅基高质量氧化锌外延薄膜的界面控制
本文利用反射式高能电子衍射(RHEED)、高分辨透射电镜和选区电子衍射方法,系统研究了Si(111)衬底上制备高质量氧化锌单晶薄膜的界面控制工艺.发现低温下Mg(0001)/Si(111)界面互扩散得到有效抑制,形成了高质量的单晶镁膜,进一步通过低温氧化法和分子束外延法实现了单晶MgO缓冲层的制备,从而为ZnO的外延生长提供了模板.在这一低温界面控制工艺中,Mg膜有效防止了Si表面的氧化,而MgO膜不仅为ZnO的成核与生长提供了优良的缓冲层,且极大地弛豫了由于衬底与ZnO之间的晶格失配所引起的应变.上述低温工艺也可用来控制其它活性金属膜与硅的界面,从而在硅衬底上获得高质量的氧化物模板.
作 者： 王喜娜 梅增霞 王勇 杜小龙 张晓娜 贾金锋 薛其坤 张泽 WANG Xi-na MEI Zeng-xia WANG Yong DU Xiao-long ZHANG Xiao-na JIA Jin-feng XUE Qi-kun ZHANG Ze 作者单位： 王喜娜,梅增霞,王勇,杜小龙,WANG Xi-na,MEI Zeng-xia,WANG Yong,DU Xiao-long(北京凝聚态物理国家实验室,中国科学院物理研究所,北京,100080)张晓娜,张泽,ZHANG Xiao-na,ZHANG Ze(北京工业大学固体微结构与性能研究所,北京,100022)
贾金锋,JIA Jin-feng(清华大学物理系,北京,100084)
薛其坤,XUE Qi-kun(北京凝聚态物理国家实验室,中国科学院物理研究所,北京,100080;清华大学物理系,北京,100084)
刊 名： 电子显微学报 ISTIC PKU 英文刊名： JOURNAL OF CHINESE ELECTRON MICROSCOPY SOCIETY 年，卷(期)： 2007 26(6) 分类号： O484.1 TN304.2 TN304.054 TG115.21 关键词： ZnO/Si界面 低温界面控制 MgO缓冲层 透射电镜 反射式高能电子衍射【硅基高质量氧化锌外延薄膜的界面控制】相关文章：
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