Nam Si7-m(m≤6)团簇的结构和电子性质的密度泛函理论研究

Nam Si7-m(m≤6)团簇的结构和电子性质的密度泛函理论研究

采用密度泛函理论(DFT)在B3LYP/6-311+G(d)水平上,对NamSi7-m(m≤6)团簇的最低能量结构和电子性质进行了研究.结果表明:m≤4时,团簇的稳定结构倾向于Na原子附着在带负电的Si7-m结构的不同位置上,Na原子成分较多时(m≥4)混合团簇的稳定几何结构发生较大的变化,且团簇中Nam的结构与单一的Nam团簇的稳定结构不同;自然电荷布居分析表明,电荷从Na原子转移到Si原子;随着Na原子成分的增加,团簇越来越容易失去电子,且团簇的稳定性也随之减弱;随着m的增加能隙出现振荡,其中NasSi2的能隙最小,化学活性最强,Na2Si5的能隙最大,化学活性最弱.

作 者： 刘霞 赵高峰 郭令举 王献伟 葛桂贤 闫玉丽 罗有华 LIU Xia ZHAO Gao-feng GUO Ling-ju WANG Xian-wei GE Gui-xian YAN Yu-li LUO You-hua   作者单位： 刘霞,赵高峰,郭令举,王献伟,葛桂贤,闫玉丽,LIU Xia,ZHAO Gao-feng,GUO Ling-ju,WANG Xian-wei,GE Gui-xian,YAN Yu-li(河南大学物理与电子学院,开封,475004)

罗有华,LUO You-hua(河南大学物理与电子学院,开封,475004;华东理工大学理学院,上海,200237) 

刊 名： 原子与分子物理学报  ISTIC PKU 英文刊名： JOURNAL OF ATOMIC AND MOLECULAR PHYSICS  年，卷(期)： 2007 24(6)  分类号： O641  关键词： NamSi7-m(m≤6)团簇   密度泛函理论   结构与性质  

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