PLT/PbO铁电薄膜的制备及性能研究

PLT/PbO铁电薄膜的制备及性能研究

采用射频磁控溅射技术,在室温溅射、后续退火条件下,以PbO为过渡层,在Pt(111)/Ti/SiO2/Si(100)衬底上制备出具有完全钙钛矿结构的(Pb0.90La0.10)Ti0.975O3(PLT)铁电薄膜;比较了在Pt(111)/Ti/SiO2/Si(100)衬底上有无PbO过渡层的PLT薄膜的微结构和铁电性能.实验结果表明,在Pt(111)/Ti/SiO2/Si(100)衬底上增加PbO过渡层提高了PLT薄膜的相纯度,并且所制备的PLT/PbO/Pt(111)/Ti/SiO2/Si(100)薄膜具有优良的介电和铁电性能,其剩余极化强度Pr为21.76 μC/cm2,室温热释电系数p为2.75×10-8 C/cm2·K.

作 者： 吴家刚 朱基亮 肖定全 朱建国 谭浚哲 张青磊 WU Jia-gang ZHU Ji-liang XIAO Ding-quan ZHU Jian-guo TAN Jun-zhe ZHANG Qing-lei   作者单位： 四川大学,材料科学系,四川,成都,610064  刊 名： 压电与声光  ISTIC PKU 英文刊名： PIEZOELECTRICS & ACOUSTOOPTICS  年，卷(期)： 2007 29(6)  分类号： O484  关键词： (Pb0.90La0.10)Ti0.975O3   铁电薄膜   射频磁控溅射   剩余极化强度   热释电系数