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不同边界条件下导电高分子电子结构的研究
用一维复式晶格作为反式聚乙炔的模型,在周期与非周期边界条件下,考虑链端效应并计及电子的非近邻跳跃,数值计算了格点数分别等于N=10、50、100和200时聚乙炔的能谱和态密度.讨论了不同格点数和结构参数对态密度及带宽的影响,并对两种边界条件下的计算结果进行了比较.计算结果表明,当格点数N<50时,两者相差较大,这表明系统的边界将起很大作用;当格点数N≥50时,两者相差甚微,这时可利用周期性边界条件来研究有限系统问题.

童国平(浙江师范大学物理系,金华,321004)
杨慧,杨建荣,章林溪(浙江大学物理系,杭州,310027)
赵得禄(中国科学院化学研究所分子科学中心,北京,100080)
刊 名: 高分子学报 ISTIC SCI PKU 英文刊名: ACTA POLYMERICA SINICA 年,卷(期): 2003 ""(3) 分类号: O63 关键词: 复式晶格 态密度 表面态 链端效应【不同边界条件下导电高分子电子结构的研究】相关文章:
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