CMTD晶体(001)面的表面形貌观测及其结晶形态研究

CMTD晶体(001)面的表面形貌观测及其结晶形态研究

用倒置相差显微镜观察了CdHg(SCN)4(H6C2OS)2(CMTD)晶体结晶过程的形态变化.同时用原子力显微镜(AFM)对CMTD的(001)面进行形貌观察,测得的初级台阶高度为1.411nm,是晶胞参数c的一半,发现了螺旋生长丘及缺陷,并对生长丘的中心孔芯作了初步分析,讨论了CMTD晶体所特有的"树杈状"和"一字形"缺陷及形成机理.

作 者： 王坤鹏 孙大亮 郭世义 苏静   作者单位： 王坤鹏,孙大亮,郭世义(山东大学,晶体材料国家重点实验室,山东,济南,250100)

苏静(山东大学,晶体材料国家重点实验室,山东,济南,250100;中科院安徽光学精密机械研究所,安徽,合肥,230031) 

刊 名： 功能材料  ISTIC EI PKU 英文刊名： JOURNAL OF FUNCTIONAL MATERIALS  年，卷(期)： 2003 34(2)  分类号： O793 O781  关键词： CdHg(SCN)4(H6C2OS)2(CMTD)   生长机理   缺陷  

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