He注入单晶Si表面形貌的变化研究
沿Si的(100)面注入He离子, 能量为30 keV、剂量为5×1016 ions/cm2. 注入后样品切成几块, 在真空炉中分别做退火处理, 退火温度从600 ℃到1 000 ℃, 退火时间均为30 min. 利用原子力显微镜研究了各个样品表面形貌的演化. 发现样品表面形貌与退火温度相关联. 假设在气泡中He原子与空位的比值很高, 导致样品内部存在高压的He泡, 从而使样品表面形貌发生变化. 探讨了在Si中He泡随退火温度的演化和He原子在材料中的释放机制及其对表面的影响.
张崇宏,ZHANG Chong-hong(中国科学院近代物理研究所,甘肃,兰州,730000)
刊 名： 原子核物理评论 ISTIC PKU 英文刊名： NUCLEAR PHYSICS REVIEW 年，卷(期)： 2008 25(2) 分类号： O613.72 关键词： 单晶Si 离子注入 He泡 原子力显微镜 表面形貌