Yb:YAG晶体的可见荧光及其机理研究
在半导体InGaAs激光激发Yb:YAG晶体的荧光中,有一组位于460~494 nm的可见荧光.分析了这些可见荧光产生的原因,指出它不同于红外荧光的发光机理,是一种离子对的合作吸收和发射.两个离子耦合成的离子对产生的可见荧光,其强度随激发功率的平方变化.提高晶体中离子对的密度,可见荧光可以得到增强.
作 者: 史全林 杜荣建 田乃良 作者单位: 史全林(长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室,吉林,长春,130022)杜荣建,田乃良(天津理工学院光电信息与电子工程系,天津,300191)
刊 名: 光电子·激光 ISTIC EI PKU 英文刊名: JOURNAL OF OPTOELECTRONICS·LASER 年,卷(期): 2003 14(8) 分类号: O431.2 关键词: Yb:YAG晶体 可见荧光 离子对 机理