合成GaP纳米晶过程的关键影响因素
本文系统研究了在有机溶剂中常压合成GaP纳米晶过程中反应温度、反应时间、反应体系的均匀性和原料的比例等关键影响因素.GaP纳米晶的产率、形貌以及平均粒度随着这些关键因素的改变有很大的不同.制备的GaP纳米晶用X射线衍射仪和透射电镜进行了表征.发现了最优化的合成工艺条件,实现了GaP纳米晶的高产率(达85%)制备,而且形貌和粒度可以根据需要进行调控.
作 者： 刘振刚 于美燕 白玉俊 郝霄鹏 王琪珑 于乃森 崔得良 作者单位： 刘振刚,于美燕,王琪珑(山东大学化学与化工学院,济南,250100)白玉俊,郝霄鹏,于乃森,崔得良(山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100)
刊 名： 人工晶体学报 ISTIC EI PKU 英文刊名： JOURNAL OF SYNTHETIC CRYSTALS 年，卷(期)： 2003 32(3) 分类号： O766 O782.9 关键词： 磷化镓 纳米晶 纳米棒 X射线衍射 关键因素