GaAs/Ga1-xAlxAs量子阱线中类氢杂质的束缚能和光致电离截面
通过在波函数中考虑量子线的限制方向和非限制方向的相关性,计算了GaAs/Ga1-xAlxAs量子阱线中类氢杂质的束缚能和光致电离截面.结果表明光致电离截面的大小受量子线尺寸的影响,并且对于相同尺寸的量子线,有限深势阱中杂质态的光致电离截面要比无限深势阱中的大.与他人的结果比较发现,所选波函数改进了体系的束缚能,并使光致电离截面减小,这使得结果更为合理.
作 者： 刘建军 苏会 关荣华 杨国琛 Liu Jianjun Su Hui Guan Ronghua Yang Guochen 作者单位： 刘建军,Liu Jianjun(河北师范大学物理学院,石家庄,050016;河北工业大学物理所,天津,300130)苏会,Su Hui(中国科学院物理研究所,北京,100080)
关荣华,Guan Ronghua(河北工业大学物理所,天津,300130;华北电力大学应用物理系,保定,071003)
杨国琛,Yang Guochen(河北工业大学物理所,天津,300130)
刊 名： 半导体学报 ISTIC EI PKU 英文刊名： CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS 年，卷(期)： 2003 24(6) 分类号： O741.1 关键词： 光致电离截面 束缚能 类氢杂质 量子阱线 photoionization cross-section binding energy hydrogenic impurity quantum well wire