掺钇钨酸铅晶体缺陷的理论研究
采用基于密度泛函理论的相对论性离散变分和嵌入团簇方法,计算了掺钇PbWO4晶体中多种相关缺陷的电荷分布和不同团簇缺陷结合能,由能量最低原理发现[2(Y3+Pb)-V″Pb]缺陷在各相关缺陷形式中最为稳定.并运用过渡态方法计算了轨道跃迁的激发能,算出掺Y后晶体中O2p→Y4d的跃迁能量为3.9eV,表明掺Y不会引起晶体中350nm和420nm吸收.从掺Y对PbWO4晶体电子结构的影响来看,其作用机理与掺La的情况也有较大差异.
作 者: 刘峰松 顾牡 姚明珍 梁玲 陈铭南 作者单位: 同济大学物理系,上海,200092 刊 名: 物理学报 ISTIC SCI PKU 英文刊名: ACTA PHYSICA SINICA 年,卷(期): 2003 52(9) 分类号: O4 关键词: PbWO4晶体 密度泛函 掺Y 态密度分布