掺钇钨酸铅晶体缺陷的理论研究

掺钇钨酸铅晶体缺陷的理论研究

采用基于密度泛函理论的相对论性离散变分和嵌入团簇方法,计算了掺钇PbWO4晶体中多种相关缺陷的电荷分布和不同团簇缺陷结合能,由能量最低原理发现[2(Y3+Pb)-V″Pb]缺陷在各相关缺陷形式中最为稳定.并运用过渡态方法计算了轨道跃迁的激发能,算出掺Y后晶体中O2p→Y4d的跃迁能量为3.9eV,表明掺Y不会引起晶体中350nm和420nm吸收.从掺Y对PbWO4晶体电子结构的影响来看,其作用机理与掺La的情况也有较大差异.

作 者： 刘峰松 顾牡 姚明珍 梁玲 陈铭南   作者单位： 同济大学物理系,上海,200092  刊 名： 物理学报  ISTIC SCI PKU 英文刊名： ACTA PHYSICA SINICA  年，卷(期)： 2003 52(9)  分类号： O4  关键词： PbWO4晶体   密度泛函   掺Y   态密度分布  

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