巨磁电阻锰氧化物材料的低温电阻率行为的研究

巨磁电阻锰氧化物材料的低温电阻率行为的研究

对巨磁电阻锰氧化物材料La2/3Ca1/3MnO3/YSZ(钇稳定氧化锆)(LCMO/YSZ)系列样品低温下电阻率行为进行研究,低温下电阻率行为一般是ρ=ρ0+ATa+BTb的形式,其中ρ0为剩余电阻率,a=2或3/2,b=5或9/2.T2代表电子-电子散射项,T3/2代表被无序自旋玻璃散射的电子项,T6代表电子.声子散射项,Tθ/2们代表电子-双磁子散射项.在此指出b=5是合理的,代表电子-声子散射项.

作 者： 王新峰 WANG Xin-feng   作者单位： 山东理工大学物理与光电信息技术学院,山东,淄博,255049  刊 名： 低温物理学报  ISTIC PKU 英文刊名： CHINESE JOURNAL OF LOW TEMPERATURE PHYSICS  年，卷(期)： 2008 30(3)  分类号： O51  关键词： 巨磁电阻   低温电阻率   电子-声子散射  

【巨磁电阻锰氧化物材料的低温电阻率行为的研究】相关文章：

电阻教案04-25

光敏电阻介绍02-02

磁与电作文09-28

初中物理电阻教案12-30

巨齿鲨作文12-01

电阻物理课教案12-12

测电阻教案设计04-25

初三物理电阻教案05-10

碳和谈的氧化物复习课指导反思11-07

教学设计杨巨丽04-25