巨磁电阻锰氧化物材料的低温电阻率行为的研究
对巨磁电阻锰氧化物材料La2/3Ca1/3MnO3/YSZ(钇稳定氧化锆)(LCMO/YSZ)系列样品低温下电阻率行为进行研究,低温下电阻率行为一般是ρ=ρ0+ATa+BTb的形式,其中ρ0为剩余电阻率,a=2或3/2,b=5或9/2.T2代表电子-电子散射项,T3/2代表被无序自旋玻璃散射的电子项,T6代表电子.声子散射项,Tθ/2们代表电子-双磁子散射项.在此指出b=5是合理的,代表电子-声子散射项.
作 者: 王新峰 WANG Xin-feng 作者单位: 山东理工大学物理与光电信息技术学院,山东,淄博,255049 刊 名: 低温物理学报 ISTIC PKU 英文刊名: CHINESE JOURNAL OF LOW TEMPERATURE PHYSICS 年,卷(期): 2008 30(3) 分类号: O51 关键词: 巨磁电阻 低温电阻率 电子-声子散射