红外InGaAs/InP单光子探测器的温度特性研究

红外InGaAs/InP单光子探测器的温度特性研究

分析了SAGM-APD单光子探测器暗电流产生的机理;得出工作温度和偏置电压是影响SAGM InGaAs/InP单光子探测器探测性能的重要因素.通过实验,分析了三种APD在不同温度下暗电流、光电流与偏置电压的关系曲线,得出一些结论.

作 者： 李水峰 熊予莹 王晗 曾思明 廖常俊 LI Shui-feng XIONG Yu-ying WANG Han ZENG Si-ming LIAO Chang-jun   作者单位： 李水峰,王晗,曾思明,LI Shui-feng,WANG Han,ZENG Si-ming(广东工业大学实验教学部,广东,广州,510006)

熊予莹,XIONG Yu-ying(华南师范大学物理与电信工程学院,广东,广州,510006)

廖常俊,LIAO Chang-jun(华南师范大学信息光电子科技学院,广东,广州,510006) 

刊 名： 量子光学学报  ISTIC PKU 英文刊名： ACTA SINICA QUANTUM OPTICA  年，卷(期)： 2008 14(3)  分类号： O431  关键词： 量子光学   单光子探测器   雪崩光电二极管   光电流   暗电流