分子束外延生长ZnSe自组织量子点光、电行为研究?

分子束外延生长ZnSe自组织量子点光、电行为研究?

分别应用光致发光、电容-电压和深能级瞬态傅里叶谱技术详细研究ZnSe自组织量子点样品的光学和电学行为.光致发光温度关系表明ZnSe量子点的光致发光热猝火过程机理.两步猝火过程的理论较好模拟和解释了相关的实验数据.电容-电压测量表明样品表观载流子积累峰出现的深度(样品表面下约100nm处)大约是ZnSe量子点层的位置.深能级瞬态傅里叶谱获得的ZnSe量子点电子基态能级位置为ZnSe导带下的0.11eV,这与ZnSe量子点光致发光热猝火模型得到的结果一致.

作 者： 卢励吾 王占国 C.L.Yang J.Wang Z.H.Ma I.K.Sou Weikun Ge   作者单位： 卢励吾,王占国(中国科学院半导体研究所半导体材料科学开放实验室,北京,100083)

C.L.Yang,J.Wang,Z.H.Ma,I.K.Sou,Weikun Ge(香港科技大学物理系，香港九龙清水湾) 

刊 名： 物理学报  ISTIC SCI PKU 英文刊名： ACTA PHYSICA SINICA  年，卷(期)： 2002 51(2)  分类号： O4  关键词： Ⅱ-Ⅵ半导体,自组织量子点,光、电特性  

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