压缩真空场中量子存储单元的消相干特性
两能级原子作为量子存储单元,当存储单元置于压缩真空库(人工制备的库)时,利用存储单元约化密度算符非对角元的时间演化,研究单光子过程和简并双光子过程中存储单元的消相干特性.在压缩真空库中,可以消除量子存储单元的消相干.
作 者： 张登玉 作者单位： 湖南衡阳师范学院物理系,湖南,衡阳,421008 刊 名： 光电子·激光 ISTIC EI PKU 英文刊名： JOURNAL OF OPTOELECTRONICS·LASER 年，卷(期)： 2002 13(6) 分类号： O431.2 关键词： 压缩真空库 两能级原子 量子存储单元 简并双光子 消相干