射频溅射ZnO薄膜的晶体结构和电学性质

射频溅射ZnO薄膜的晶体结构和电学性质

氧化锌(ZnO)具有较宽的带隙(3.1 eV)和较低的亲合势(3.0 eV),有可能用作薄膜场发射阴极中的电子传输层材料.本文主要研究了用射频磁控溅射法制备ZnO薄膜时,衬底温度和溅射气氛对薄膜结晶状况和电学性质的影响.随着衬底温度的升高,薄膜结晶质量得以改善,晶粒择优取向(002)晶向,晶粒大小为50～60 nm.溅射时通入一定比例的氧气有助于提高薄膜的绝缘性和耐压性.当衬底温度为180 ℃,溅射气氛为Ar+O2(25%)时,ZnO击穿场强为0.35 V/10 nm.

作 者： 黄静华 李德杰   作者单位： 清华大学电子工程系,北京,100084  刊 名： 真空科学与技术学报  ISTIC EI PKU 英文刊名： VACUUM SCIENCE AND TECHNOLOGY  年，卷(期)： 2002 22(3)  分类号： O484.4  关键词： ZnO薄膜   射频溅射   场发射阴极  

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