量子阱结构中的等效宽度分析
在有效质量近似下,分析了有限深势阱的电子基态能级,并和有相同能级的无限深势阱模型作比较,用数值方法得到了不同电场下两者之间的阱宽的关系 ,首次得出经验公式,发现结果与前人的实验和理论结果吻合得很好.分析了两种模型下的波函数和结合能,证实了有外加电场时采用零电场下的等效宽度的合理性.
作 者： 周小平 周剑英 杨爱龄 李锡华 江晓清 王明华 作者单位： 浙江大学信息与电子工程学系,杭州,310027 刊 名： 半导体学报 ISTIC EI PKU 英文刊名： CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS 年，卷(期)： 2002 23(7) 分类号： O471.1 关键词： 量子阱 等效宽度 结合能 GaAs/GaAlAs