分子束外延GaN薄膜的X射线光电子能谱和俄歇电子能谱研究
用XPS和AES电子能谱的方法对等离子体辅助分子束外延(MBE)生长的GaN薄膜进行了表面分析和深度剖析.发现红外分子束外延(RF-MBE)生长的富镓GaN薄膜实际表面存在O和C吸附层,C主要为物理吸附,而O在GaN表面形成局域化学键产生氧络合物覆盖层,并形成一定的深度分布.杂质O在GaN带隙中导带底形成杂质带同时引入深受主能级,使得带隙变窄室温光吸收谱向低能方向移动,光致发光谱出现宽带发光峰.从而影响GaN薄膜的电学和光学性质.
齐鸣,李爱珍(中国科学院上海冶金研究所,上海,200050)
徐卓(西安交通大学电子材料研究所,西安,710049)
刊 名： 物理学报 ISTIC SCI PKU 英文刊名： ACTA PHYSICA SINICA 年，卷(期)： 2001 50(12) 分类号： O4 关键词： GaN薄膜 X射线光电子能谱 俄歇电子能谱 表面分析