非掺杂GaN的黄光发射模型确定
提出了一种新的光谱——吸收归一化光致发光激发谱,并用这种光谱研究了非掺杂GaN的黄光发射.实验上首次直接测量出了黄光发射的初始态的共振吸收峰位,从而解决了长期争论的有关黄光发射的发光模型问题.
作 者： 赖天树 林位株 莫党 作者单位： 中山大学超快速激光光谱学国家重点实验室,物理系,广州,510275 刊 名： 物理学报 ISTIC SCI PKU 英文刊名： ACTA PHYSICA SINICA 年，卷(期)： 2002 51(5) 分类号： O4 关键词： GaN薄膜 黄光发射 吸收归一化光致发光激发谱