退火过程中自组织生长Ge量子点的变化?

退火过程中自组织生长Ge量子点的变化?

在超高真空系统中,用扫描隧道显微镜(STM)和原子力显微镜(AFM)研究了自组织生长的Ge量子点经不同温度退火后的变化.实验发现,当退火温度为630℃时,出现了许多新的量子点.与原来的在分子束外延过程中形成的无失配位错的量子点相比,新形成的量子点被认为是存在位错的岛.

作 者： 胡冬枝 杨建树 蔡群 张翔九 胡际璜 蒋最敏 Hu Dongzhi Yang Jianshu Cai Qun Zhang Xiangjiu Hu Jihuang Jiang Zuimin   作者单位： 复旦大学应用表面物理国家重点实验室,上海,200433  刊 名： 半导体学报  ISTIC EI PKU 英文刊名： CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS  年，卷(期)： 2002 23(6)  分类号： O485  关键词： 量子点   硅基材料   形貌评价   AFM   quantum dots   Si-based materials   evolution of morphology   atomic force microscopy  

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