过渡层对Ge衬底GaAs外延层晶体质量的影响

过渡层对Ge衬底GaAs外延层晶体质量的影响

利用低压金属有机化学汽相淀积(MOCVD)设备在Ge衬底上生长GaAs外延层.通过改变GaAs过渡层的生长温度对GaAs外延层进行了表征,利用扫描电镜(SEM)和X射线衍射仪研究了表面形貌和晶体质量,优化出满足高效太阳能电池要求的高质量GaAs单晶层生长条件.

作 者： 李晓婷 赛小锋 汪韬 曹希斌 石刚 LI Xiaoting SAI Xiaofeng WANG Tao CAO Xibing SHI Gang   作者单位： 李晓婷,LI Xiaoting(长安大学理学院,西安710061;中国科学院西安光学精密机械研究所,西安710068)

赛小锋,汪韬,曹希斌,SAI Xiaofeng,WANG Tao,CAO Xibing(中国科学院西安光学精密机械研究所,西安710068)

石刚,SHI Gang(长安大学理学院,西安710061) 

刊 名： 激光与光电子学进展  ISTIC PKU 英文刊名： LASER & OPTOELECTRONICS PROGRESS  年，卷(期)： 2007 44(6)  分类号： O484.1  关键词： GaAs/Ge   过渡层   生长温度   晶体质量  

【过渡层对Ge衬底GaAs外延层晶体质量的影响】相关文章：

透层的质量控制04-27

压电层对含集中质量的Beck杆稳定性的影响04-26

GaAs高温退火过程中热应力对晶体缺陷的影响04-28

克拉2气田砂岩储层中成岩方解石-白云石的平衡及其对储层质量的影响04-29

平流层极地臭氧损耗影响对流层气候的研究进展04-29

抗疲劳层疲劳性能影响因素分析04-28

压实作用对砂岩储层物性的影响04-27

千层花04-26

广东南雄盆地的南雄层和丹霞层04-27

含铺层拼接层合板的力学性能04-26