纤锌矿氮化物半导体中电子-声子相互作用对表面电子态的影响
采用变分法研究了半无限纤锌矿氮化物半导体中电子表面态问题. 计及电子与表面光学声子相互作用和结构异性的影响导出了系统的有效哈密顿量, 获得了电子表面态能级、电子与表面光学声子相互作用能量分别随表面势垒的变化关系. 对GaN, AlN和InN进行了数值计算.结果表明,电子与表面声子的相互作用使电子的表面能级下降, 并且纤锌矿结构的GaN和AlN中电子-声子相互作用能量较闪锌矿结构大,而对InN情况正好相反.在计算的所有材料中纤锌矿材料的电子表面能级比闪锌矿的低几百meV.电子与表面光学声子相互作用对表面电子态的影响不应被忽略.
作 者： 李根小 闫祖威 LI Gen-xiao YAN Zu-wei 作者单位： 内蒙古大学物理系,呼和浩特,010021;内蒙古农业大学理学院,呼和浩特,010018 刊 名： 内蒙古大学学报（自然科学版） ISTIC PKU 英文刊名： JOURNAL OF INNER MONGOLIA UNIVERSITY(ACTA SCIENTIARUM NATURALIUM UNIVERSITATIS NEIMONGOL) 年，卷(期)： 2007 38(6) 分类号： O471.3 关键词： 表面电子态 电声子相互作用 氮化物半导体 surface state nitride semiconductor electron-phonon interaction