可接受掺杂比对掺杂晶体AgGa1-x Inx Se2频率转换的影响
为了研究掺杂比及可接受掺杂比对晶体AgGa1-xInxSe2频率转换的影响,依据可接受掺杂比的理论和晶体Sellmeier方程,给出了光学二次谐波产生(SHG)和Nd3+:YAG(1.06靘)与Ho3+:ILF(2.08靘)激光泵浦光学参量振荡器(OPO)的调谐曲线可接受掺杂比.该结论可用于AgGa1-xInxSe2晶体生长与应用.
作 者： 姬广举 尹伊 黄金哲 沈涛 JI Guang-ju YIN Yi HUANG Jin-zhe SHEN Tao 作者单位： 姬广举,黄金哲,沈涛,JI Guang-ju,HUANG Jin-zhe,SHEN Tao(哈尔滨理工大学,应用科学学院,黑龙江,哈尔滨,150080)尹伊,YIN Yi(黑龙江省水利工程技术学校,黑龙江,肇东,151100)
刊 名： 哈尔滨理工大学学报 ISTIC PKU 英文刊名： JOURNAL OF HARBIN UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY 年，卷(期)： 2007 12(6) 分类号： O437.1 关键词： 可接受掺杂比 相位匹配 AgGa1-xInxSe2