蒸发速率对Si衬底上SSMBE外延SiC薄膜的影响

蒸发速率对Si衬底上SSMBE外延SiC薄膜的影响

采用固源分子束外延(SSMBE)生长技术,用不同的蒸发速率,在Si(111)衬底上生长SiC薄膜.利用反射式高能电子衍射(RHEED)、X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)等实验技术,对生长的样品的形貌和结构进行研究.结果表明,在优化的蒸发速率(1.0 nm·min-1)下,所生长的薄膜质量最好.低的蒸发速率(0.25 nm·min-1)难以抑制孔洞的形成,衬底的Si原子可通过这些孔洞扩散到样品表面,导致结晶质量变差.在高的蒸发速率(1.8 nm·min-1)下,以岛状方式生长甚至以团簇聚集,表面的原子难以迁移到最佳取向的平衡位置,导致样品表面粗糙度变大,薄膜的结晶质量变差,甚至出现多晶.

作 者： 刘忠良 刘金锋 任鹏 徐彭寿   作者单位： 中国科学技术大学国家同步辐射实验室,合肥,230029  刊 名： 真空科学与技术学报  ISTIC EI PKU 英文刊名： JOURNAL OF VACUUM SCIENCE AND TECHNOLOGY  年，卷(期)： 2008 28(4)  分类号： O484 TN304  关键词： 蒸发速率   碳化硅   硅衬底   固源分子束外延  

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