基片温度和退火对CdIn2O4薄膜光学性质和载流子浓度的影响
对射频反应性溅射Cd-In合金靶制备的透明导电CdIn2O4薄膜,研究了基片温度及沉积后在氩气流中退火对薄膜的透射、反射和吸收光谱,光学常数和载流子浓度的影响.结果表明:提高基片温度减少了薄膜的载流子浓度,退火增加了薄膜的载流子浓度.随着基片温度提高,薄膜折射率n和消光系数κ的短波峰将逐渐蓝移,而退火使其出现红移.基片温度和退火对薄膜光学常数的影响与其对薄膜载流子浓度的影响是一致的.在制备CdIn2O4这样一种对于沉积方法和沉积条件极为敏感的透明导电薄膜的沉积过程中,这一现象对于实时监控具有极为重要的意义.
作 者： 李斌 曾菱 张凤山 作者单位： 李斌,张凤山(中国科学院上海技术物理研究所,上海,200083)曾菱(公安海警高等专科学校,宁波,315821)
刊 名： 光学学报 ISTIC EI PKU 英文刊名： ACTA OPTICA SINICA 年，卷(期)： 2002 22(11) 分类号： O484 关键词： CdIn2O4薄膜 基片温度 退火 光学性质 载流子浓度