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等离子体源离子注入半圆碗状球内壁离子能量和角度分布
在等离子体源离子注入(PSII)技术中,被加工材料表明形状的弯曲使附近鞘层中电场结构出现聚焦效应,从而引起离子束流和离子注入剂量在材料表明上分布非常不均匀.在半圆容器表面情况下,这种情况尤为明显.利用Monte Carlo方法,考察了有共心附加零电位电极时半圆容器内底中央部位Ar+注入能量和角度分布及真空室中气压参数的影响.通过在不同半径的鞘层边界上随机抽取与半径成正比的离子数量,计算了注入到内底表面的所有离子能量分布和角度分布.在模型中,通过考虑两种主要碰撞过程:电荷交换碰撞和弹性碰撞.对不同工作气压下的离子注入进行了考察.随着中性气体压力的增加,离子在穿越鞘层的过程中与中性粒子经历比较频繁的碰撞.这些碰撞一方面使离子失去能量,另一方面也使离子改变运动方向,导致注人的低能离子和不垂直于表面入射的离子增多.
作 者： 刘成森 吴雪飞 高昕昕 LIU Cheng-sen WU Xue-fei GAO Xin-xin 作者单位： 刘成森,吴雪飞,LIU Cheng-sen,WU Xue-fei(辽宁师范大学,物理与电子技术学院,辽宁,大连,116029)高昕昕,GAO Xin-xin(大连理工大学,物理与光电工程学院,辽宁,大连,116024)
刊 名： 辽宁师范大学学报(自然科学版) ISTIC PKU 英文刊名： JOURNAL OF LIAONING NORMAL UNIVERSITY(NATURAL SCIENCE EDITION) 年，卷(期)： 2008 31(3) 分类号： O539 关键词： 等离子体源离子注入 Monte Carlo模拟 能量分布 角度分布【等离子体源离子注入半圆碗状球内壁离子能量和角度分布】相关文章：
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