金刚石薄膜负偏压形核的边缘效应
在微波等离子体化学气相沉积装置中,研究了金刚石薄膜在Si(100)面上的负偏压形核行为,结果表明,偏压大小对金刚石的形核均匀性有显著影响,而甲烷浓度主要影响形核时间,对金刚石的最大核密度影响不大.在硅片尺寸小于钼支撑架时,形核行为存在明显的边缘效应,即在偏压值低于-150 V时,硅片边缘金刚石核密度急剧降低,远低于硅片中央;在甲烷浓度比较低时,硅片边缘核密度要高于中间.研究表明,造成这种现象的主要原因是硅片下的钼支撑架发射电子所致,过量的原子H对金刚石的形核是不利的.
作 者： 王传新 汪建华 马志斌 满卫东 王升高 康志成 作者单位： 王传新,满卫东,王升高(中国科学院等离子体物理研究所,安徽合肥,230031;武汉化工学院微波等离子体化学与新材料重点实验室,湖北武汉,430073)汪建华,马志斌(武汉化工学院微波等离子体化学与新材料重点实验室,湖北武汉,430073)
康志成(中国科学院等离子体物理研究所,安徽合肥,230031)
刊 名： 高压物理学报 ISTIC EI PKU 英文刊名： CHINESE JOURNAL OF HIGH PRESSURE PHYSICS 年，卷(期)： 2003 17(2) 分类号： O484.1 关键词： MPCVD 形核 金刚石膜 边缘效应