FeSiB薄膜的巨磁阻抗和应力阻抗效应研究

FeSiB薄膜的巨磁阻抗和应力阻抗效应研究

软磁材料中存在巨磁阻抗(giant magneto-impedance,GMI)效应以及与之相同来源的应力阻抗(stress-impedance,SI)效应,利用这两种效应可以制成具有高灵敏度的微型化的磁场和应力-应变传感器.本文基于传感器的实际应用,对图形化的、较大磁致伸缩的FeSiB单层和多层薄膜的巨磁阻抗和应力阻抗效应中频率和退火的影响进行了研究.结果表明,对于两种效应,经过退火处理的单层和多层膜均可在较低的频率下得到较高的灵敏度,而多层膜中的应力阻抗效应将为新型高灵敏传感器的设计和研制开辟一条崭新的途径.

作 者： 茅昕辉 禹金强 周勇 吴茂松 蔡炳初   作者单位： 上海交通大学微纳米科学技术研究院,薄膜与微细技术教育部重点实验室,上海,200030  刊 名： 真空科学与技术学报  ISTIC EI PKU 英文刊名： VACUUM SCIENCE AND TECHNOLOGY  年，卷(期)： 2002 22(6)  分类号： O484.52 O484.4  关键词： 巨磁阻抗   应力阻抗   FeSiB   薄膜   多层膜