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片光法构造缺陷态光折变光子晶格
实验上利用四孔的掩膜和柱透镜成功的在LN晶体中构造了不同类型的缺陷态光折变光子晶格,发现当缺陷的写入角度与c轴垂直时,写入的缺陷最好,平行时最差,并描绘了折射率随时间变化曲线,发现写入时间为40分钟时为最佳写入时间.推导了四孔掩膜的电磁场分布并在理论上模拟了四孔掩膜和柱透镜的空间光场分布,验证了此方法的可行性,这对缺陷态光子晶格的研究和应用有一定的意义.
作 者： 付存宝 杨立森 何冬梅 张宝光 张兰根 张印 FU Cun-bao YANG Li-sen HE Dong-mei ZHANG Bao-guang ZHANG Lan-gen ZHANG Yin 作者单位： 内蒙古师范大学,物理与电子信息学院,呼和浩特,010022 刊 名： 信息记录材料 ISTIC 英文刊名： INFORMATION RECORDING MATERIALS 年，卷(期)： 2009 10(6) 分类号： O434.19 关键词： 片光法 LN晶体 光子晶格 缺陷【片光法构造缺陷态光折变光子晶格】相关文章：
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