Rb掺杂C60单晶的相衍变和电子态
在C60单晶超高真空解理面上制备C60的Rb填隙化合物薄膜.用同步辐射光电子能谱研究了相衍变过程.观察到对应于固溶相、Rb1C60和Rb3C60的电子态密度分布.当数纳米厚Rb3C60薄膜在C60单晶(111)解理面形成后,室温条件下进一步沉积Rb至样品表面不产生fcc到bct或bcc结构相变.C60分子的大尺寸提供了表面填隙位置使得样品表面形成Rb4C60和Rb5C60吸附相.价带电子能谱结果表明这两种表面相为金属性.Rb 3d芯态电子能谱测量进一步证实了表面Rb4C60和Rb5C60吸附相的存在.
作 者： 李宏年 作者单位： 浙江大学物理系,杭州,310027 刊 名： 物理学报 ISTIC SCI PKU 英文刊名： ACTA PHYSICA SINICA 年，卷(期)： 2004 53(1) 分类号： O4 关键词： 金属性Rb4C60和Rb5C60吸附相 C60单晶 相衍变 同步辐射光电子能谱