单根In掺杂的n-ZnO纳米线/p+-Si异质结的紫外电致发光
采用化学气相沉积的方法在In0.1Ga0.9N衬底上生长出In掺杂的n-ZnO纳米线阵列.电学输运测量得到单根n-ZnO纳米线的电阻率为0.001 Ω cm,比同样方法在GaN衬底上生长的ZnO纳米线低约20倍.这个结果表明来自于In0.1Ga0.9N衬底中的In原子在高温生长过程中可能被掺入ZnO纳米线.制备成功单根n-ZnO纳米线/p+-Si异质结构并研究了其电致发光特性.室温下电致发光光谱中可以看到一个窄的ZnO激子峰(约380 nm)和一个中心位于700 nm 的来自Si衬底表面自然氧化硅发光中心的发光峰.
作 者： 霍海滨 杨卫全 戴伦 马仁敏 秦国刚 HUO Haibin YANG Weiquan DAI Lun MA Renmin QIN Guogang 作者单位： 霍海滨,杨卫全,马仁敏,HUO Haibin,YANG Weiquan,MA Renmin(北京大学物理学院,北京,100871)戴伦,秦国刚,DAI Lun,QIN Guogang(北京大学物理学院,北京,100871;介观物理国家重点实验室,北京,100871)
刊 名： 北京大学学报（自然科学版） ISTIC PKU 英文刊名： ACTA SCIENTIARUM NATURALIUM UNIVERSITATIS PEKINENSIS 年，卷(期)： 2008 44(3) 分类号： O475 关键词： 电致发光 氧化锌纳米线 硅 异质结