含单负材料的光子晶体的缺陷模和透射谱
用传输矩阵法分析了由2类单负材料组成的含缺陷一维光子晶体的缺陷模及透射谱.结果表明:当缺陷为一层单负材料时,零有效相位带隙中出现2个缺陷模,且缺陷模的频率可通过缺陷层的厚度和2种单负材料的厚度比来调节.当缺陷为1组单负磁导率材料和单负介电材料组成的双缺陷时,通过选取合适的参数满足平均磁导率和平均介电常数都为零时,带隙中未出现缺陷模,而且带宽保持不变,带边电场也随着双缺陷厚度的增加而被强烈的局域.
作 者： 黄永清 HUANG Yong-qing 作者单位： 江西中医药高等专科学校公共与社科部,江西,抚州,344000 刊 名： 江西科学 ISTIC 英文刊名： JIANGXI SCIENCE 年，卷(期)： 2009 27(6) 分类号： O431.1 关键词： 光子晶体 单负材料 缺陷模 传输矩阵法