MPCVD金刚石膜装置中 Ar的光谱特性分析

MPCVD金刚石膜装置中 Ar的光谱特性分析

在MPCVD装置中,通过调节微波功率、气体流量及反应压强,使用高分辨率的多道光学分析仪采集得到Ar的400～440 nm光谱,利用玻耳兹曼"斜率法"得到Ar激发温度Texc. 结果显示:随气体流量增加Texc降低;随着微波功率的增加Texc升高;谱线强度随着功率的增加而上升,在550 W及700 W处开始降低继而又上升,此点是制备金刚石膜的功率关键点.

作 者： 杜康 徐伟 吴智量 DU Kang XU Wei WU Zhi-liang   作者单位： 广州大学,物理与电子工程学院,广东,广州,510006  刊 名： 物理实验  PKU 英文刊名： PHYSICS EXPERIMENTATION  年，卷(期)： 2009 29(11)  分类号： O484  关键词： MPCVD   金刚石膜   发射光谱   激发温度   谱线强度  

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