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掺杂氧化铈钡钨阴极的结构和发射性能的研究

时间:2021-12-11 19:47:37 数理化学论文 我要投稿

掺杂氧化铈钡钨阴极的结构和发射性能的研究

采用CeO2与钨粉机械混合,制备了满足大功率微波器件要求的高性能掺杂CeO2钡钨阴极,利用扫描电镜、压汞仪等测试手段分析了阴极的微观结构.用水冷阳极二极管检测了阴极的发射性能.研究表明,掺杂CeO2钡钨阴极孔径分布较窄,为0.4~3.6um,平均孔径为2um.在阳极正常工作温度1050。C下,掺杂CeO2钡钨阴极的直流发射电流密度和脉冲发射电流密度分别为6.33,17.48A·cm-2,明显优于传统钡钨阴极,满足大功率微波器件要求.

掺杂氧化铈钡钨阴极的结构和发射性能的研究

作 者: 卢平 沈春英 丘泰 Lu Ping Shen Chunying Qiu Tai   作者单位: 南京工业大学材料科学与工程学院,江苏,南京,210009  刊 名: 稀有金属  ISTIC PKU 英文刊名: CHINESE JOURNAL OF RARE METALS  年,卷(期): 2008 32(1)  分类号: O462  关键词: 稀土   CeO2   钡钨阴极   发射电流密度