掺杂氧化铈钡钨阴极的结构和发射性能的研究

掺杂氧化铈钡钨阴极的结构和发射性能的研究

采用CeO2与钨粉机械混合,制备了满足大功率微波器件要求的高性能掺杂CeO2钡钨阴极,利用扫描电镜、压汞仪等测试手段分析了阴极的微观结构.用水冷阳极二极管检测了阴极的发射性能.研究表明,掺杂CeO2钡钨阴极孔径分布较窄,为0.4～3.6um,平均孔径为2um.在阳极正常工作温度1050。C下,掺杂CeO2钡钨阴极的直流发射电流密度和脉冲发射电流密度分别为6.33,17.48A·cm-2,明显优于传统钡钨阴极,满足大功率微波器件要求.

作 者： 卢平 沈春英 丘泰 Lu Ping Shen Chunying Qiu Tai   作者单位： 南京工业大学材料科学与工程学院,江苏,南京,210009  刊 名： 稀有金属  ISTIC PKU 英文刊名： CHINESE JOURNAL OF RARE METALS  年，卷(期)： 2008 32(1)  分类号： O462  关键词： 稀土   CeO2   钡钨阴极   发射电流密度  

【掺杂氧化铈钡钨阴极的结构和发射性能的研究】相关文章：

热处理对氧化钨薄膜结构和电致变色性能的影响04-26

氟掺杂的氧化锌薄膜的结构和光学特性04-27

In掺杂纳米ZnO杀菌性能的研究04-26

铈掺杂二氧化钛降解废水中罗丹明B的研究04-25

铁掺杂纳米氧化锌室温脱硫剂的结构及效能研究04-25

生长温度对纳米氧化锌场发射性能的影响04-26

新型无极紫外灯的光氧化性能研究04-25

Ag掺杂对ZnO薄膜的光电性能影响04-26

改性活性氧化铝除氟性能研究04-25

改性活性氧化铝除氟性能研究04-25