正电子深能级瞬态谱在GaAs缺陷研究中的应用

正电子深能级瞬态谱在GaAs缺陷研究中的应用

本文介绍的正电子深能级瞬态谱(PDLTS)技术是结合了对固体缺陷有很高灵敏度的正电子湮没谱(PAS)和一些深能级瞬态谱(DLTS)技术而成新的实验方法.该技术能用来研究Ⅲ～Ⅴ,Ⅱ～Ⅵ族等半导体材料的缺陷特征,它的优点不仅能研究半导体材料中缺陷的电学特征而且还能够同时揭示这些电活性缺陷的微观结构信息.本文将介绍砷化镓中EL2缺陷能级的PDLTS研究,运用该技术并结合深能级Arrhenius分析,得到EL2能级值为0.82±0.02 eV.

作 者： 张英杰 邓爱红 幸浩洋 龙娟娟 喻菁 于鑫翔 程祥 ZHANG Ying-Jie DENG Ai-Hong XING Hao-Yang LONG Juan-Juan YU Jing YU Xing-Xiang GHENG Xiang   作者单位： 四川大学物理学院应用物理系,成都,610065  刊 名： 四川大学学报（自然科学版）  ISTIC PKU 英文刊名： JOURNAL OF SICHUAN UNIVERSITY(NATURAL SCIENCE EDITION)  年，卷(期)： 2008 45(3)  分类号： O571.23 O472  关键词： 正电子   半导体   深能级瞬态谱(DLTS)   正电子深能级瞬态谱(PDLTS)  

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