一款JFET低噪声前置放大器的设计

一款JFET低噪声前置放大器的设计

为了与传感器相匹配,得到放大器的最小噪声系数,本文从对结型场效应管的等效输入电压噪声eN及等效输入电流噪声iN的分析中,得到结型场效应管的最佳源电阻比双极型晶体管要高出2～3个数量级的结论,并设计制作了一款结型场效应管低噪声前置放大器实用电路.并对其幅频特性、输入阻抗和等效输入电压噪声进行了测量,结果表明其输入阻抗高达71MΩ,等效输入电压噪声约为0.87nV/Hz,是一种适合于高内阻传感器的较为理想的低噪声前置放大器电路,也可以通过阻抗变换后用于磁力仪等需要低噪声放大的场所.

作 者： 张晓飞 董浩斌 鲁永康 Zhang Xiaofei Dong Haobin Lu Yongkang   作者单位： 中国地质大学,机械与电子信息学院,武汉,430074  刊 名： 工程地球物理学报  英文刊名： CHINESE JOURNAL OF ENGINEERING GEOPHYSICS  年，卷(期)： 2009 06(3)  分类号： P631  关键词： 结型场效应管(JFET)   低噪声   前置放大器  

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