ZnSe/SiO2半导体量子点玻璃的光谱特性
对采用溶胶凝胶法制备的ZnSe/SiO2半导体量子点玻璃的光谱性质进行了测试分析.UV-Vis透射光谱中观察到光吸收边相对于体相半导体有明显蓝移.稳态发射光谱(PL)中观察到ZnSe纳米晶体的位于蓝区的基本呈高斯分布的弱的最低激子发射峰、强而宽的表面态发光带以及对应杂质能级的三个锐峰发光.时间分辨荧光光谱(TRPL)中观察到发光效率高的最低激子发射峰,并测量其荧光衰减寿命,经尾部拟合为28.5 ps.同时,结合有效质量近似(EMA)模型,估计ZnSe纳米晶体的平均粒径介于2.45～3.60 nm之间,尺寸分布基本呈高斯型.
作 者： 罗志徽 贺俊芳 汪敏强 张苏娟 彭延湘 LUO Zhi-hui HE Jun-fang WANG Min-qiang ZHANG Su-juan PENG Yan-xiang 作者单位： 罗志徽,LUO Zhi-hui(中国科学院西安光学精密机械研究所,瞬态光学与光子技术国家重点实验室,西安,710068;中国科学院研究生院,北京,100039)贺俊芳,张苏娟,HE Jun-fang,ZHANG Su-juan(中国科学院西安光学精密机械研究所,瞬态光学与光子技术国家重点实验室,西安,710068)
汪敏强,彭延湘,WANG Min-qiang,PENG Yan-xiang(西安交通大学,电子陶瓷与器件教育部重点实验室,西安,710049)
刊 名： 光子学报 ISTIC PKU 英文刊名： ACTA PHOTONICA SINICA 年，卷(期)： 2007 36(3) 分类号： O433.4 关键词： 光谱学 UV-Vis透射光谱 稳态发射光谱 时间分辨荧光光谱 ZnSe/SiO2半导体量子点玻璃